Alors que la DDR5 va commencer à s'inviter dans les systèmes informatiques dès cette fin d'année, le champion des modules mémoire Samsung annonce le lancement de la production de modules DRAM DDR5 gravés en 14 nm.
Cette finesse extrême pour de la mémoire oblige à changer de méthode de fabrication et est obtenue grâce aux techniques de lithographie multi-couches EUV (Extreme Ultra Violet, ici en cinq couches).
La technique permet d'augmenter la densité par bit tout en réduisant la consommation d'énergie de 20%, pour des mémoires qui serviront les besoins de "la 5G, l'intelligence artificielle et du metaverse".
La DRAM DDR5 de Samsung va pouvoir ainsi atteindre des vitesses de transfert de 7,2 Gbps, soit le double de ce que permet la DDR4. Cette mémoire particulièrement affûtée devrait d'abord trouver place dans les datacenters, les supercalculateurs et les serveurs.
