Samsung lance sa gravure en 3 nm avec un nouveau type de transistor

Le par Christian D.  |  4 commentaire(s)
Samsung gravure 3 nm

Comme attendu, Samsung tente de prendre les devants face à TSMC et annonce le lancement de la production de composants gravés en 3 nm. Son arme secrète : un nouveau type de transistor GAA / MBCFET.

Pour réussir dans le domaine de la gravure de composants électroniques, il est aussi question de vitesse pour s'installer rapidement sur un marché et attirer les gros clients.

Après avoir souffert sur la gravure en 5 nm et son dérivé 4 nm, Samsung se positionne sur le noeud plus bas avec la volonté d'être rapidement opérationnel. Comme attendu, la firme coréenne annonce le lancement de la production de composants gravés en 3 nm.

Samsung gravure 3 nm 01

En attaquant le marché dès ce 30 juin, elle espère avoir un petit temps d'avance sur son concurrent et lui prendre quelques parts de marché. Et pour cela, elle dispose d'un autre atout : l'utilisation de nouveaux transistors GAA (Gate All Around) au coeur de sa technologie propriétaire MBCFET qui constitue déjà une forme avancée.

Ceux-ci sont mieux adaptés que les actuels FinFET pour de la gravure très fine avec une configuration réduisant notamment les courants de fuite et assurant une meilleure efficacité énergétique. Ils ont aussi l'avantage d'être plus modulables selon les besoins des composants.

Samsung gravure 3 nm GAA MBCFET

MBCFET, l'arme secrète de Samsung

Avec MBCFET, Samsung promet une réduction de consommation d'énergie de 45% et une amélioration des performances de 23% avec sa technologie par rapport au 5 nm, avec une empreinte réduite de 16%.

Déjà, la firme évoque une seconde génération de gravure en 3 nm qui poussera respectivement les curseurs à 50%, 30% et 35%. Sa nouvelle technique sera prise en charge dans son environnement SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem) pour aider les concepteurs de puces à valider plus vite leurs designs.

Ces points sont importants dans la mesure où TSMC restera sur du FinFET pour ses techniques de gravure en 3 nm et ne basculera sur du GAA qu'avec le passage au 2 nm qu'il espère rapide, dès 2025.

Il pourrait donc ne pas pouvoir rivaliser avec Samsung sur les performances brutes mais il a d'autres atouts comme l'utilisation d'une technologie mature offrant de meilleurs rendements et des capacités de production capables de retenir les acteurs ayant besoin de volumes de plusieurs dizaines de millions de puces.

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Vos commentaires

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skynet offline Hors ligne VIP icone 90119 points
Le #2166398
C'est plein de physique quantique tout ça
jacob13 away Absent VIP icone 7225 points
Le #2166402
skynet a écrit :

C'est plein de physique quantique tout ça


?
Pleins de de pognon ces annonces.
C'est plutôt la physique des flux financiers.
Safirion offline Hors ligne VIP icone 43100 points
Le #2166404
J'aime l'ironie que m'évoque cette photo d'illustration


Après, c'est bien que Samsung se bouge car TSMC grave en général des wafer qui chauffent moins que ceux de samsung a taille de noeud équivalent donc...
skynet offline Hors ligne VIP icone 90119 points
Le #2166408
jacob13 a écrit :

skynet a écrit :

C'est plein de physique quantique tout ça


?
Pleins de de pognon ces annonces.
C'est plutôt la physique des flux financiers.


Le fonctionnement de ces transistors met en oeuvre les fondement de la physique quantique
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