Gravure en 3 nm : Samsung prêt à lancer la production de masse

Le par Christian D.  |  3 commentaire(s) | Source : Yonhap
wafer

Bien décidé à contrer TSMC et à prendre des parts de marché, le groupe Samsung serait sur le point de lancer la production de masse pour sa gravure en 3 nm.

Si le fondeur taiwanais TSMC domine le marché de la production de puces en gravure fine (plus de 50% de part de marché), son concurrent Samsung n'a pas dit son dernier mot pour tenter de prendre l'ascendant d'ici la fin de la décennie.

Et dans ce secteur, les investissements sont le nerf de la guerre mais ils sont rendus inefficaces si un timing précis ne suit pas. TSMC joue beaucoup sur cet aspect en prenant les devants et en proposant ses nouvelles techniques de gravure avant tout le monde, de manière à conserver les gros clients rentabilisant ensuite les sommes englouties en R&D.

Samsung gravure 3 nm 02

Après avoir été malmené sur le noeud 5 nm et son dérivé 4 nm, Samsung a donc tout intérêt à être présent rapidement sur le noeud 3 nm. Selon l'agence Yonhap, le groupe va annoncer le lancement de la production de masse pour ce noeud dès la semaine prochaine.

Celui lui donnerait un petit temps d'avance sur TSMC qui doit lancer ses propres techniques durant le troisième trimestre avec un atout technique : l'utilisation directe des nouvelles générations de transistors GAA (Gall All Around) quand son adversaire taiwanais restera sur l'actuelle technologie des FinFET.

Samsung mise sur l'avancée technologique, TSMC sur le rendement

Armé de cet avantage et de sa propre technologie GAA baptisé MBCFET, Samsung devrait profiter de progressions plus nettes sur différents aspects. La surface des composants pourra être réduite de 45% par rapport au FinFET, avec une performance améliorée de 30% et une consommation d'énergie abaissée de 50%.

De son côté, TSMC proposera plusieurs variation de sa technique de gravure en 3 nm FinFET ces prochaines années et ne passera au GAA que pour la gravure en 2 nm d'ici 2025.

Après avoir suivi une voie technologique commune, Samsung et TSMC auront donc chacun leur gravure en 3 nm avec des procédés très différents, le premier ayant l'avantage d'un process plus avancé et le second celui de la maîtrise d'une technique utilisée depuis plusieurs années, garantissant de hauts niveaux de rendement.

Le prochain noeud de gravure pourrait donc constituer un point d'inflexion dans les stratégies des deux fondeurs si l'une des techniques se révèle très supérieure à l'autre.

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Vos commentaires

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saepho offline Hors ligne VIP icone 28439 points
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Le #2165819
Et tout ça profitera aux consommateurs (et on peut espérer aux salariés), enfin une bonne nouvelle
Okutsuko online Connecté Vétéran icone 1782 points
Le #2165845
Si le GAA tiens ses promesses, ça risque de faire mal effectivement ! Hâte de voir ce que ça va donner !


ENZOLIV offline Hors ligne Vénéré avatar 2572 points
Le #2165908
PFFF 3nm.. 3nm... mais même pas super méga fin....
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