Débordé sur les premiers temps de la gravure en 7 nm par TSMC qui a raflé les premiers clients, le groupe Samsung a adapté sa stratégie pour pouvoir évoluer rapidement vers les adaptations suivantes : 6 nm, 5 nm et 4 nm, avant la bascule vers le noeud de gravure suivant imposant de repenser les technologies, c'est à dire le 3 nm.
Le sujet est particulièrement important à l'heure de la chute des prix des composants mémoire qui ont affaibli sa division semiconducteurs après l'avoir placée au sommet du secteur.
Déjà capable d'exploiter la technique de gravure 7LPP (Low Power Plus), plus performante que la première version du 7 nm (LPE) proposée depuis 2018, c'est maintenant la technique de gravure 6LPP qui va passer au stade de la production de masse durant le second semestre de l'année, poursuivant l'effort de miniaturisation des composants tout en offrant des performances supérieures.
Dans le même temps, Samsung prépare la pré-production pour le 5LPE (Low Power Early) en vue d'une production de masse à partir du premier semestre 2020 et planche même sur le 4LPE, avec des points d'étape attendus dans les prochains mois.
Dans le même temps, Samsung continue de raffiner sa technique de gravure en 14 nm pour la faire descendre à 11 nm tandis que le 10 nm a déjà commencé à évoluer en 8 nm, lui offrant un vaste panel de possibilités à présenter à ses clients en fonction de leurs besoins et de leurs moyens.
Site Samsung de Hwaseong
La base des évolutions du noeud 7 nm repose en bonne partie sur la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) et la gravure 5LPE devrait devenir la référence pour une majorité d'usages avancés, principalement HPC / IA / Mobile et dans une moindre mesure automobile.
L'achèvement du site de Hwaseong, qui regroupe les équipements de lithographie EUV de Samsung, donnera un coup d'accélérateur aux productions à partir de 2020.
