La mémoire DDR5 commencera à faire ses premiers pas sur le marché en fin d'année, même si elle ne commencera à remplacer réellement l'actuelle DDR4 que d'ici 2023.
Tous les fabricants de composants mémoire se préparent à l'arrivée de ce nouveau type de mémoire plus performant et moins énergivore et Samsung voit grand en confirmant préparer des barrettes mémoire DDR5 de 512 Go.
Le géant coréen avait déjà évoqué cette capacité au printemps en indiquant recourir au procédé HKMG (High-K Metal Gate) et à la possibilité d'empiler 8 modules mémoire de 16 Gb en lien TSV (Through-Silicon-Via), au lieu de 4 modules maximum en DDR4.
A ceci s'ajoute les avancées intrinsèques de la DDR5 comme le voltage abaissé à 1,1 Volt, le PMIC et le régulateur de tension placés directement sur la barrette au lieu de dépendre de la carte mère.
Pour la conférence Hotchips 33, Samsung a donc présenté les grandes lignes de cette barrette mémoire DDR5-7200 de 512 Go (au-delà de la configuration de base DDR5-4800) qui, tout en intégrant plus de dies mémoire, se permet d'être moins épaisse que la DDR4 (empilement de dies mémoire de 1 mm vs 1,2 mm pour la DDR4).
Outre le PMIC intégré qui permet de générer moins de perturbations, la barrette DDR5 comprend un système de correction d'erreur intégré (on-die) ODECC pour assurer la fiabilité des transferts de données.
Evidemment, une telle mémoire DDR5 de 512 Go se destine avant tout aux serveurs en datacenters mais elle prépare le terrain pour des barrettes grand public qui pourraient atteindre jusqu'à 64 Go.
La production de masse de la DDR5-7200 de Samsung débutera en fin d'année 2021.
