La RAM DDR5 va commencer à faire son apparition avec l'arrivée de processeurs et de cartes mères compatibles mais pour des besoins supérieurs, tandis que la VRAM GDDR6 / GDDR6X est dans toutes les cartes graphiques récentes, il faudra aussi compter avec la prochaine évolution de la mémoire HBM (High Bandwith Memory).
Après la HBM2E actuellement utilisée, une quatrième génération se profile avec la HBM3 et le spécialiste coréen des mémoire SK Hynix annonce avoir développé un premier composant qui améliorera bande passante et capacité.
La mémoire va ainsi pouvoir atteindre une bande passante de 819 Go/s (78% de plus que la HBM2E en 460 Go/s) avec un mécanisme ECC de correction d'erreur assurant la fiabilité du produit.
SK Hynix va proposer sa mémoire HMB3 en 16 Go mais aussi en 24 Go, qui constituera la plus grosse capacité du marché, en empilant 12 composants mémoire (contre 8 pour la version 16 Go) et en utilisant la technologie d'interconnexion TSV (Through Silicon Via).
Cette DRAM HBM3 haute performance restera réservée aux besoins des serveurs en datacenters pour des tâches demandant d'importants transferts de données comme le machine learning et le calcul HPC.
La production n'est pas encore lancée et il faudra sans doute encore un peu de temps avant de voir la mémoire HBM3 débarquer dans des produits commerciaux.
