Pour conserver son leadership dans les techniques de gravure de composants électroniques, le fondeur taiwanais TSMC doit aller vite et proposer rapidement les évolutions des techniques pour conserver ses gros clients, Apple en tête.
Après avoir conquis l'espace de la gravure en 5 et 4 nm, il se prépare à lancer la gravure en 3 nm. Pour gagner du temps, il exploitera toujours la technologie de transistor FinFET utilisée sur les noeuds supérieurs, avant de passer ultérieurement au GAAFET, mieux adapté aux gravures extrêmes.
Le fondeur avait annoncé une mise en service de la gravure en 3 nm en 2022 et il semble qu'il soit en mesure de tenir sa promesse sur le second semestre de l'année, malgré les soucis supposés de rendement évoqués plus tôt dans l'année.
Après la gravure 3N initiale, TSMC proposera rapidement d'ici 2023 une évolution légère 3NE offrant de meilleures performances et un rendement accru. Et déjà, il est question d'une gravure en 2 nm que le fondeur a déjà évoquée et qui fera une première apparition dès 2024 avant de permettre la production de masse à partir de 2025.
Le programme est chargé et le calendrier mais c'est le moyen de tenir Samsung à distance alors que le géant coréen cherche à reprendre des parts de marché et devenir numéro un du secteur des semiconducteurs d'ici la fin de la décennie. A noter que la firme est redevenue leader du marché en valeur en 2021, devançant de nouveau Intel.
