Gravure en 3 nm : des soucis de rendement chez TSMC qui ne feraient pas les affaires d'AMD

Le par Christian D.  |  4 commentaire(s) | Source : Tom's Hardware
TSMC wafer

TSMC peinerait à stabiliser ses rendements en gravure 3 nm FinFET, ce qui pourrait impacter la stratégie de ses gros clients sur les puces à venir.

L'industrie des semiconducteurs est une sorte de mouvement d'ensemble où tout le monde doit avancer de concert pour atteindre ses objectifs. Que l'un manque à l'appel et ce sont les stratégies anticipées sur plusieurs années qui sont fragilisées.

Après avoir proposé la gravure en 7 nm, puis en 5 nm suivie de son évolution en 4 nm, l'industrie se prépare à accueillir les premiers composants gravés en 3 nm qui offriront de nouvelles progressions en termes de performance et de faible consommation d'énergie.

Un rapport évoqué par Digitimes suggère toutefois que la gravure en 3 nm chez TSMC souffrirait de problèmes de rendements qui risquent de la retarder. Pour sa gravure N3 initiale, le fondeur taiwanais est resté sur la technologie de transistors FinFET afin de gagner du temps et de conserver ses gros clients, quand son concurrent Samsung proposera du GAAFET plus adapté à une telle finesse.

TSMC gravure

Du retard dans la mise en service de la gravure N3 pourrait avoir un impact sur le calendrier de lancement des prochaines générations de processeurs et de cartes graphiques.

Il pourrait même les obliger à rester sur le noeud supérieur avec des conséquences pour leur stratégie et leurs roadmaps. Digitimes cite le cas d'AMD qui va utiliser la gravure en 5 nm de TSMC pour son architecture CPU Zen 4 en fin d'année et qui a planifié de basculer au 3 nm pour Zen 5 et l'architecture graphique RDNA 4.

Il semble tout de même un peu tôt pour craindre de voir ces architectures obligées de rester sur les noeuds 5 et 4 nm. Dans le même temps, Samsung serait aussi à la peine pour finaliser sa gravure en 3 nm mais dans son cas, c'est la nouveauté du procédé qui demande une attention particulière.

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Vos commentaires

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Mouve92 offline Hors ligne VIP icone 10687 points
Le #2157511
Mais aux problèmes de nouveauté se grefferont des problèmes de rendement !
.
Samsung en a l'habitude.
.
.
jacob13 offline Hors ligne VIP icone 7262 points
Le #2157556
Mouve92 a écrit :

Mais aux problèmes de nouveauté se grefferont des problèmes de rendement !
.
Samsung en a l'habitude.
.
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Bah, comme pour le S22 et ses composants écran et chargeur, il suffira d'écrire que c'est du 3nm dans les caractéristiques techniques
Mouve92 offline Hors ligne VIP icone 10687 points
Le #2157566
jacob13 a écrit :

Mouve92 a écrit :

Mais aux problèmes de nouveauté se grefferont des problèmes de rendement !
.
Samsung en a l'habitude.
.
.


Bah, comme pour le S22 et ses composants écran et chargeur, il suffira d'écrire que c'est du 3nm dans les caractéristiques techniques


Je n'ai pas compris.
jacob13 offline Hors ligne VIP icone 7262 points
Le #2157567
Mouve92 a écrit :

jacob13 a écrit :

Mouve92 a écrit :

Mais aux problèmes de nouveauté se grefferont des problèmes de rendement !
.
Samsung en a l'habitude.
.
.


Bah, comme pour le S22 et ses composants écran et chargeur, il suffira d'écrire que c'est du 3nm dans les caractéristiques techniques


Je n'ai pas compris.


Samsung:
https://www.generation-nt.com/galaxy-s22-ultra-charge-45w-traine-actualite-1998122.html
https://www.phonandroid.com/galaxy-s22-et-s22-samsung-a-menti-lecran-des-smartphones-nest-pas-ltpo.html
+https://www.lesnumeriques.com/telephone-portable/labo-serie-samsung-galaxy-s22-les-performances-de-l-exynos-2200-a-la-loupe-n177171.html
l'ensemble:
https://www.youtube.com/watch?v=U4-Le0N-Lyo
https://www.youtube.com/watch?v=Ze5sAnJC2YU
https://www.comptoir-hardware.com/actus/ram/45581-les-ssd-des-mac-ne-seraient-en-fait-pas-des-plus-rapides.html
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