Pendant que Samsung veut dépenser des dizaines de milliards de dollars pour prendre le leadership dans les semiconducteurs et la fonderie, le géant taiwanais TSMC avance vite pour ne pas se laisser rattraper.
Profitant de son succès dans la gravure en 7 nm qui lui a permis de capter mais aussi de conserver au fil du temps des clients capables de lui commander de gros volumes, le groupe taiwanais compte aller tout aussi vite sur la gravure en 3 nm pour ne pas laisser son concurrent profiter du moindre temps mort.
Il vient de finaliser la construction du site qui accueillera sa production de composants en 3 nm au Tainan Science Park (Corée du Sud) décidé en 2017 et démarré en 2019.
Il reste maintenant à installer les équipements de lithographie et organiser les lignes de production qui permettront de sortir 55 000 wafers 300 mm par mois, ce qui demandera encore plus d'une année d'efforts mais devrait permettre de commencer à lancer les premières phases de préproduction et de réglagle des machines.
TSMC prévoit un calendrier opérationnel agressif en promettant la gravure en 3 nm dès fin 2022, mais aussi l'arrivée de la gravure en 2 nm pour 2023, au lieu de 2024. Le site de Tainan représente un investissement de près de 20 milliards de dollars qui pourrait être complété par la suite pour étoffer les capacités de production de l'usine.
